1. IPD088N06N3 G
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厂商型号

IPD088N06N3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

内部编号

173-IPD088N06N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:2065
1+¥5.812
10+¥4.8753
100+¥3.1453
1000+¥2.5163
2500+¥2.1265
5000+¥2.0445
10000+¥2.0376
25000+¥1.9146
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:9747
1+¥6.9215
10+¥6.1531
100+¥4.8647
500+¥3.7728
1000+¥2.9785
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD088N06N3 G产品详细规格

规格书 IPD088N06N3 G datasheet 规格书
IPD088N06N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 50A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.8 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 34µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 48nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3900pF @ 30V
功率 - 最大 71W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

IPD088N06N3 G系列产品

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